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Extrait du Registre européen des brevets

EP Présentation générale: EP0140369

EP0140369 - Circuit intégré semi-conducteur comportant des transistors connectés en série [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets]
StatutLa demande a été retirée
Statut actualisé le  01.09.1987
Base de données mise à jour au 04.11.2024
Dernier événement   Tooltip15.08.2008Changement - mandatairepublié le 17.09.2008  [2008/38]
Demandeur(s)Pour tous les Etats désignés
Hitachi, Ltd.
6, Kanda Surugadai 4-chome
Chiyoda-ku
Tokyo / JP
[N/P]
Précédent [1985/19]Pour tous les Etats désignés
HITACHI, LTD.
6, Kanda Surugadai 4-chome
Chiyoda-ku, Tokyo 100 / JP
Inventeur(s)01 / Kaneko, Kenji
2609-11, Shimokuzawa
Sagamihara-shi Kanagawa-ken / JP
02 / Nakamura, Tohru
6-6-16-614, Minami-machi
Tanashi-shi Tokyo / JP
03 / Okabe, Takahiro
2196-36, Hinodemachi Hirai
Nishitama-gun Tokyo / JP
04 / Nagata, Minoru
1558, Josuihoncho
Kodaira-shi Tokyo / JP
[1985/19]
Mandataire(s)Beetz & Partner mbB
Patentanwälte
Prinzregentenstraße 54
80538 München / DE
[N/P]
Précédent [2008/38]Beetz & Partner
Patentanwälte Steinsdorfstrasse 10
80538 München / DE
Précédent [1985/19]Patentanwälte Beetz - Timpe - Siegfried Schmitt-Fumian - Mayr
Steinsdorfstrasse 10
D-80538 München / DE
Numéro de la demande, date de dépôt84113062.830.10.1984
[1985/19]
Numéro de priorité, dateJP1983020483002.11.1983         Format original publié: JP 20483083
[1985/19]
Langue de dépôtEN
Langue de la procédureEN
PublicationType: A1 Demande avec rapport de recherche 
N°:EP0140369
Date:08.05.1985
Langue:EN
[1985/19]
Rapport(s) de rechercheRapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le:EP18.03.1985
ClassificationIPC:H01L27/08
[1985/19]
CPC:
H01L27/0828 (EP); H01L29/70 (KR); H01L29/7327 (EP)
Etats contractants désignésDE,   FR,   GB,   NL [1985/19]
TitreAllemand:Integrierte Halbleiterschaltung mit in Serien geschalteten Transistoren[1985/19]
Anglais:Semiconductor integrated circuit including series connected transistors[1985/19]
Français:Circuit intégré semi-conducteur comportant des transistors connectés en série[1985/19]
Dossier détruit :24.05.1993
Procédure d'examen13.05.1985Requête en examen déposée  [1985/31]
17.09.1986Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04)
21.01.1987Réponse à une notification de la division dexamen
04.08.1987Envoi de la notification relative à l'intention de délivrer le brevet (Accord : )
24.08.1987Demande retirée par le demandeur  [1987/43]
Taxes payéesTaxe annuelle
27.10.1986Taxe annuelle Année du brevet 03
Dérogation à la compétence  Tooltip
exclusive de la juridiction
unifiée du brevet
Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation
La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni.
Citations:Recherche[AD]DE3022565  (HITACHI LTD)
 [X]  - IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 12, no. 9, February 1970, page 1516, New York, US; H.D. VARADARAJAN: "Load impedance for transistor circuit"
 [X]  - IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 14, no. 6, November 1971, page 1684, New York, US; H. FRANTZ et al.: "Monolithic electric circuit"
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