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Extrait du Registre européen des brevets

EP Présentation générale: EP0410116

EP0410116 - Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur à connexion par fil [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets]
Précédent [1991/05]Dispositif semi-conducteur comprenant des cadres conducteurs
[1995/36]
StatutAucune opposition formée dans le délai
Statut actualisé le  12.07.1996
Base de données mise à jour au 07.10.2024
Dernier événement   Tooltip12.07.1996Aucune opposition formée dans le délaipublié le 28.08.1996 [1996/35]
Demandeur(s)Pour tous les Etats désignés
Kabushiki Kaisha Toshiba
72, Horikawa-cho, Saiwai-ku Kawasaki-shi
Kanagawa-ken 210-8572 / JP
[N/P]
Précédent [1995/01]Pour tous les Etats désignés
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
72, Horikawa-cho, Saiwai-ku
Kawasaki-shi, Kanagawa-ken 210, Tokyo / JP
Précédent [1991/05]Pour tous les Etats désignés
Kabushiki Kaisha Toshiba
72, Horikawa-cho Saiwai-ku
Kawasaki-shi / JP
Inventeur(s)01 / Ikenoue, Kazuhisa, C/o Intellectual Property Div.
K.K. Toshiba, 1-1 Shibaura 1-chome
Minato-ku, Tokyo 105 / JP
[1991/05]
Mandataire(s)Lehn, Werner, et al
Hoffmann Eitle, Patent- und Rechtsanwälte, Postfach 81 04 20
81904 München / DE
[N/P]
Précédent [1991/05]Lehn, Werner, Dipl.-Ing., et al
Hoffmann, Eitle & Partner, Patentanwälte, Postfach 81 04 20
D-81904 München / DE
Numéro de la demande, date de dépôt90110621.105.06.1990
[1991/05]
Numéro de priorité, dateJP1989016368628.06.1989         Format original publié: JP 16368689
[1991/05]
Langue de dépôtEN
Langue de la procédureEN
PublicationType: A2 Demande sans rapport de recherche 
N°:EP0410116
Date:30.01.1991
Langue:EN
[1991/05]
Type: A3 Rapport de recherche 
N°:EP0410116
Date:06.05.1992
Langue:EN
[1992/19]
Type: B1 Fascicule de brevet 
N°:EP0410116
Date:06.09.1995
Langue:EN
[1995/36]
Rapport(s) de rechercheRapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le:EP16.03.1992
ClassificationIPC:H01L21/60, H01L23/495
[1995/36]
CPC:
H01L21/60 (KR); H01L23/4951 (EP); H01L23/49537 (EP);
H01L23/49586 (EP); H01L23/52 (KR); H01L2224/48091 (EP);
H01L2224/48247 (EP); H01L24/48 (EP); H01L2924/00014 (EP);
H01L2924/181 (EP) (-)
C-Set:
H01L2224/48091, H01L2924/00014 (EP);
H01L2924/00014, H01L2224/05599 (EP);
H01L2924/00014, H01L2224/45099 (EP);
H01L2924/181, H01L2924/00 (EP)
Précédent IPC [1991/05]H01L23/495
Etats contractants désignésDE,   FR,   GB [1991/05]
TitreAllemand:Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung durch "Wire-bonding"[1995/36]
Anglais:Method of manufacturing a wire-bonded semiconductor device[1995/36]
Français:Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur à connexion par fil[1995/36]
Précédent [1991/05]Halbleiteranordnung mit Leiterrahmen
Précédent [1991/05]Semiconductor device including lead frames
Précédent [1991/05]Dispositif semi-conducteur comprenant des cadres conducteurs
Procédure d'examen05.06.1990Requête en examen déposée  [1991/05]
19.07.1994Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04)
09.09.1994Réponse à une notification de la division dexamen
11.11.1994Envoi de la notification relative à l'intention de délivrer le brevet (Accord : Oui)
09.03.1995Notification relative à l'intention de délivrer le brevet
31.05.1995Taxe de délivrance payée
31.05.1995Taxe publication/d‘impression payée
Opposition(s)08.06.1996Aucune opposition formée dans le délai imparti [1996/35]
Taxes payéesTaxe annuelle
09.06.1992Taxe annuelle Année du brevet 03
14.06.1993Taxe annuelle Année du brevet 04
11.06.1994Taxe annuelle Année du brevet 05
01.05.1995Taxe annuelle Année du brevet 06
Dérogation à la compétence  Tooltip
exclusive de la juridiction
unifiée du brevet
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Citations:Recherche[XP]EP0354696  (TOSHIBA KK [JP], et al);
 [X]EP0108502  (FUJITSU LTD [JP])
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