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EP0480780
Procédure d'examen
Extrait du Registre européen des brevets
EP Présentation générale: EP0480780
| EP0480780 - Dispositif optoélectronique et application à la réalisation d'un laser et d'un photodétecteur [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets] | Statut | La demande est réputée retirée Statut actualisé le 11.07.1994 Base de données mise à jour au 17.09.2024 | Dernier événement Tooltip | 11.07.1994 | Demande réputée retirée | publié le 31.08.1994 [1994/35] | Demandeur(s) | Pour tous les Etats désignés THOMSON-CSF 173, Boulevard Haussmann 75008 Paris / FR | [N/P] |
| Précédent [1994/07] | Pour tous les Etats désignés THOMSON-CSF 173, Boulevard Haussmann F-75008 Paris / FR | ||
| Précédent [1992/16] | Pour tous les Etats désignés THOMSON-CSF 173, Boulevard Haussmann F-75008 Paris / FR | Inventeur(s) | 01 /
Razeghi, Manijeh THOMSON-CSF SCPI Cédex 67 F-92045 Paris la Défense / FR | 02 /
Omnes, Franck THOMSON-CSF SCPI Cédex 67 F-92045 Paris la Défense / FR | [1992/16] | Mandataire(s) | Guérin, Michel, et al Marks & Clerk France Conseils en Propriété Industrielle Immeuble Visium 22, Avenue Aristide Briand 94117 Arcueil Cedex / FR | [N/P] |
| Précédent [1992/16] | Guérin, Michel, et al THOMSON-CSF SCPI B.P. 329 50, rue Jean-Pierre Timbaud F-92402 Courbevoie Cédex / FR | Numéro de la demande, date de dépôt | 91402304.9 | 23.08.1991 | [1992/16] | Numéro de priorité, date | FR19900010871 | 31.08.1990 Format original publié: FR 9010871 | [1992/16] | Langue de dépôt | FR | Langue de la procédure | FR | Publication | Type: | A1 Demande avec rapport de recherche | N°: | EP0480780 | Date: | 15.04.1992 | Langue: | FR | [1992/16] | Rapport(s) de recherche | Rapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le: | EP | 31.01.1992 | Classification | IPC: | H01L31/0352, H01L33/00, H01S3/19 | [1992/16] | CPC: |
H01S5/34313 (EP);
B82Y20/00 (EP);
H01L31/0352 (EP);
H01L31/035236 (EP)
| Etats contractants désignés | DE, GB [1992/16] | Titre | Allemand: | Optoelektronische Vorrichtung und ihre Verwendung zur Herstellung eines Lasers und eines Fotodetektors | [1992/16] | Anglais: | Optoelectronic device and production of a laser and a photodetector using the same | [1992/16] | Français: | Dispositif optoélectronique et application à la réalisation d'un laser et d'un photodétecteur | [1992/16] | Dossier détruit : | 20.04.2002 | Procédure dexamen | 18.05.1992 | Requête en examen déposée [1992/29] | 01.03.1994 | La demande est réputée retirée, date d'effet juridique [1994/35] | 05.04.1994 | Envoi dune notification signalant que la demande est réputée retirée, motif: {0} [1994/35] | Taxes payées | Surtaxe | Surtaxe concernant la taxe annuelle | 31.08.1993 | 03 M06 Pas encore payé |
| Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet | Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation | ||
| La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni. | Citations: | Recherche | [XP]EP0426419 | [A] - APPLIED PHYSICS LETTERS. vol. 56, no. 23, 4 Juin 1990, NEW YORK, US pages 2293 - 2294; N.K. DUTTA ET AL.: 'Linewidth enhancement factor in strained quantum well lasers' | [A] - APPLIED PHYSICS LETTERS. vol. 53, no. 1, 4 Juillet 1988, NEW YORK, US pages 1 - 3; M. KITIMURA ET AL.: 'High-power operation in InGaAs separate confinement heterostructure quantum well laser diodes' | [A] - APPLIED PHYSICS LETTERS. vol. 47, no. 7, Octobre 1985, NEW YORK, US pages 733 - 735; G.E. BULMAN ET AL.: 'Photocurrent multiplication in ion implanted lateral In0.2Ga0.8As/GaAs strained-layer superlattice photodetectors' | [A] - IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS vol. 1, no. 11, Novembre 1989, NEW YORK, US pages 376 - 378; F.S. CHOA ET AL.: 'Optoelectronic properties of InGaAs/InGaAsP multiple-quantum-well waveguide detectors' |