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EP0616369

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Extrait du Registre européen des brevets

EP Présentation générale: EP0616369

EP0616369 - Dispositif semi-conducteur de type MIS [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets]
Précédent [1994/38]	Dispositif semi-conducteur de type MOS
	[1999/21]
Statut	Aucune opposition formée dans le délai Statut actualisé le 31.03.2000 Base de données mise à jour au 07.10.2024
Dernier événement Tooltip	17.02.2006	Changement - Extinction dans un Etat contractant État(s) actualisé(s): FR	publié le 05.04.2006 [2006/14]
Demandeur(s)	Pour tous les Etats désignés FUJI ELECTRIC CO., LTD. 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku Kawasaki-shi Kanagawa / JP
	[N/P]
Précédent [1999/21]	Pour tous les Etats désignés FUJI ELECTRIC CO., LTD. 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku Kawasaki-shi, Kanagawa / JP
Précédent [1994/38]	Pour tous les Etats désignés FUJI ELECTRIC CO., LTD. 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku Kawasaki-shi, Kanagawa-ken / JP
Inventeur(s)	01 / Otsuki, Masahito, c/o Fuji Electric Co., Ltd. 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku Kawasaki-shi, Kanagawa / JP
	02 / Ueno, Katsunori, c/o Fuji Electric Co., Ltd. 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku Kawasaki-shi, Kanagawa / JP
	[1994/38]
Mandataire(s)	Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB Leopoldstrasse 4 80802 München / DE
	[N/P]
Précédent [1994/38]	Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser Anwaltssozietät Maximilianstrasse 58 D-80538 München / DE
Numéro de la demande, date de dépôt	94102339.2	16.02.1994
	[1994/38]
Numéro de priorité, date	JP19930026440	16.02.1993 Format original publié: JP 2644093
	[1994/38]
Langue de dépôt	EN
Langue de la procédure	EN
Publication	Type:	A1 Demande avec rapport de recherche
	N°:	EP0616369
	Date:	21.09.1994
	Langue:	EN
	[1994/38]
	Type:	B1 Fascicule de brevet
	N°:	EP0616369
	Date:	26.05.1999
	Langue:	EN
	[1999/21]
Rapport(s) de recherche	Rapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le:	EP	13.07.1994
Classification	IPC:	H01L29/749, H01L29/739, H01L29/745, H01L29/10	[1999/21]
	CPC:	H01L29/1095 (EP,US); H01L29/7395 (EP,US); H01L29/7455 (EP,US)
	Précédent IPC [1994/38]	H01L29/72, H01L29/10, H01L29/74
Etats contractants désignés	DE, FR, GB [1994/38]
Titre	Allemand:	Halbleiterbauelement vom MIS-Typ	[1999/21]
	Anglais:	MIS-type semiconductor device	[1999/21]
	Français:	Dispositif semi-conducteur de type MIS	[1999/21]
	Précédent [1994/38]	Halbleiterbauelement vom MOS-Typ
	Précédent [1994/38]	MOS-type semiconductor device
	Précédent [1994/38]	Dispositif semi-conducteur de type MOS
Procédure d'examen	25.01.1995	Requête en examen déposée [1995/12]
	22.10.1996	Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04)
	14.02.1997	Réponse à une notification de la division dexamen
	28.04.1998	Envoi de la notification relative à l'intention de délivrer le brevet (Accord : Oui)
	31.07.1998	Notification relative à l'intention de délivrer le brevet
	09.10.1998	Taxe de délivrance payée
	09.10.1998	Taxe publication/d‘impression payée
Opposition(s)	29.02.2000	Aucune opposition formée dans le délai imparti [2000/20]
Taxes payées	Taxe annuelle
	29.02.1996	Taxe annuelle Année du brevet 03
	26.02.1997	Taxe annuelle Année du brevet 04
	25.02.1998	Taxe annuelle Année du brevet 05
	24.02.1999	Taxe annuelle Année du brevet 06
Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet	Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation
	La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni.
Extinctions durant la phase d’opposition Tooltip	FR	26.05.1999
	[2006/14]
Précédent [2000/25]	FR	22.10.1999
Citations:	Recherche	[A]JPH01258473 ;
		[A]JPH01238171 ;
		[A]JPH0244776 ;
		[A]GB2156151 (TOSHIBA KK) [A] 1-5 * abstract *;
		[Y]DE3823270 (MITSUBISHI ELECTRIC CORP [JP]) [Y] 1-5 * abstract *;
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		[PY]EP0581246 (FUJI ELECTRIC CO LTD [JP]) [PY] 1-5 * the whole document *;
		[X] - J. S. AJIT ET AL., "The Minority Carrier Injection Controlled Field-Effect Transistor (MICFET): A New MOS-Gated Power Transistor Structure", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, NEW YORK US, (199208), vol. 39, no. 8, doi:doi:10.1109/16.144689, pages 1954 - 1960, XP000294805 [X] 1-5 * abstract * DOI: http://dx.doi.org/10.1109/16.144689
		[A] - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19900112), vol. 14, no. 16, Database accession no. (E - 872)<3959>, & JP01258473 A 19891016 (FUJI ELECTRIC CO LTD) [A] 1-5 * abstract *
		[A] - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19891218), vol. 13, no. 571, Database accession no. (E - 862)<3919>, & JP01238171 A 19890922 (FUJI ELECTRIC CO LTD) [A] 1-5 * abstract *
		[A] - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19900426), vol. 14, no. 205, Database accession no. (E - 9821)<4148>, & JP02044776 A 19900214 (FUJI ELECTRIC CO LTD) [A] 1-5 * abstract *
	Examen	EP0219995

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