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Extrait du Registre européen des brevets

EP Présentation générale: EP0810731

EP0810731 - Circuit d'attaque de transistor commandé en tension [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets]
StatutAucune opposition formée dans le délai
Statut actualisé le  08.04.2005
Base de données mise à jour au 07.10.2024
Dernier événement   Tooltip08.04.2005Aucune opposition formée dans le délaipublié le 25.05.2005  [2005/21]
Demandeur(s)Pour tous les Etats désignés
MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku
Tokyo 100 / JP
[N/P]
Précédent [1997/49]Pour tous les Etats désignés
MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku
Tokyo 100 / JP
Inventeur(s)01 / Mori, Haruyoshi
c/o Mitsubishi Denki K.K., 2-3, Marunouchi 2-chome
Chiyoda-ku, Tokyo 100 / JP
[1997/49]
Mandataire(s)von Fischern, Bernhard, et al
Hoffmann - Eitle
Patent- und Rechtsanwälte
Arabellastrasse 4
81925 München / DE
[N/P]
Précédent [1997/49]Ritter und Edler von Fischern, Bernhard, Dipl.-Ing., et al
Hoffmann Eitle, Patent- und Rechtsanwälte, Arabellastrasse 4
81925 München / DE
Numéro de la demande, date de dépôt96118756.422.11.1996
[1997/49]
Numéro de priorité, dateJP1996013377528.05.1996         Format original publié: JP 13377596
JP1996019071919.07.1996         Format original publié: JP 19071996
[1997/49]
Langue de dépôtEN
Langue de la procédureEN
PublicationType: A2 Demande sans rapport de recherche 
N°:EP0810731
Date:03.12.1997
Langue:EN
[1997/49]
Type: A3 Rapport de recherche 
N°:EP0810731
Date:21.07.1999
[1999/29]
Type: B1 Fascicule de brevet 
N°:EP0810731
Date:02.06.2004
Langue:EN
[2004/23]
Rapport(s) de rechercheRapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le:EP04.06.1999
ClassificationIPC:H03K17/567, H03K17/687, H03K17/0812
[1999/29]
CPC:
H03K17/567 (EP,US); H03K17/16 (EP,US)
Précédent IPC [1997/49]H03K17/567, H03K17/687
Etats contractants désignésCH,   DE,   FR,   LI [1997/49]
TitreAllemand:Spannungsgesteuerte Transistor-Treiberschaltung[1997/49]
Anglais:Voltage-controlled transistor drive circuit[1997/49]
Français:Circuit d'attaque de transistor commandé en tension[1997/49]
Procédure d'examen21.07.1999Requête en examen déposée  [1999/37]
25.09.2002Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04)
17.12.2002Réponse à une notification de la division dexamen
13.03.2003Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04)
15.07.2003Réponse à une notification de la division dexamen
18.12.2003Notification relative à l'intention de délivrer le brevet
22.03.2004Taxe de délivrance payée
22.03.2004Taxe publication/d‘impression payée
Opposition(s)03.03.2005Aucune opposition formée dans le délai imparti [2005/21]
Taxes payéesTaxe annuelle
26.11.1998Taxe annuelle Année du brevet 03
26.11.1999Taxe annuelle Année du brevet 04
20.11.2000Taxe annuelle Année du brevet 05
26.11.2001Taxe annuelle Année du brevet 06
25.11.2002Taxe annuelle Année du brevet 07
26.11.2003Taxe annuelle Année du brevet 08
Dérogation à la compétence  Tooltip
exclusive de la juridiction
unifiée du brevet
Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation
La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni.
Citations:Recherche[XAY]EP0487964  (SIEMENS AG [DE]) [X] 1-3,5-7,10 * the whole document * [A] 8 [Y] 4,9;
 [X]EP0711038  (NIPPON DENSO CO [JP]) [X] 1-3,5-7 * the whole document *;
 [Y]EP0631390  (PHILIPS ELECTRONICS UK LTD [GB], et al) [Y] 4,9 * figures 1-6 *;
 [A]EP0690572  (FUJI ELECTRIC CO LTD [JP])
par le demandeurJPS6395728
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