EP0782198 - Transistor bipolaire à haute tension utilisant des électrodes de plage de contact isolées du champ [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets] | Statut | Aucune opposition formée dans le délai Statut actualisé le 02.03.2002 Base de données mise à jour au 29.10.2024 | Dernier événement Tooltip | 02.03.2002 | Aucune opposition formée dans le délai | publié le 17.04.2002 [2002/16] | Demandeur(s) | Pour tous les Etats désignés RAYTHEON COMPANY 141 Spring Street Lexington Massachusetts 02173 / US | [N/P] |
Précédent [2001/17] | Pour tous les Etats désignés RAYTHEON COMPANY 141 Spring Street Lexington, Massachusetts 02173 / US | ||
Précédent [1998/51] | Pour tous les Etats désignés RAYTHEON COMPANY 141 Spring Street Lexington Massachusetts 02173 / US | ||
Précédent [1997/27] | Pour tous les Etats désignés HE HOLDINGS, INC. dba HUGHES ELECTRONICS 7200 Hughes Terrace Los Angeles, CA 90045-0066 / US | Inventeur(s) | 01 /
Hooper, William W. 1741 Royal Saint George Drive Westlake Village, California 91362 / US | 02 /
Case, Michael G. 211 Sandberg Street Thousand Oaks, California 91360 / US | 03 /
Nguyen, Chanh N. 2080 West Hillcrest No. 203 Newbury Park, California 92320 / US | [1997/27] | Mandataire(s) | Witte, Alexander, et al Witte, Weller, Gahlert, Otten & Steil, Patentanwälte, Rotebühlstrasse 121 70178 Stuttgart / DE | [N/P] |
Précédent [1997/27] | Witte, Alexander, Dr.-Ing., et al Witte, Weller, Gahlert, Otten & Steil, Patentanwälte, Rotebühlstrasse 121 70178 Stuttgart / DE | Numéro de la demande, date de dépôt | 96120399.9 | 18.12.1996 | [1997/27] | Numéro de priorité, date | US19950578796 | 26.12.1995 Format original publié: US 578796 | [1997/27] | Langue de dépôt | EN | Langue de la procédure | EN | Publication | Type: | A2 Demande sans rapport de recherche | N°: | EP0782198 | Date: | 02.07.1997 | Langue: | EN | [1997/27] | Type: | A3 Rapport de recherche | N°: | EP0782198 | Date: | 17.12.1997 | [1997/51] | Type: | B1 Fascicule de brevet | N°: | EP0782198 | Date: | 25.04.2001 | Langue: | EN | [2001/17] | Rapport(s) de recherche | Rapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le: | EP | 29.10.1997 | Classification | IPC: | H01L29/06, H01L29/423, H01L29/417, H01L23/485 | [1997/49] | CPC: |
H01L29/402 (EP,US);
H01L24/02 (US);
H01L29/41708 (EP,US);
H01L2224/04042 (EP);
H01L24/05 (EP);
H01L2924/01004 (EP,US);
H01L2924/01005 (EP,US);
H01L2924/01006 (EP,US);
H01L2924/01013 (EP,US);
H01L2924/01014 (EP,US);
H01L2924/01015 (EP,US);
H01L2924/01019 (EP,US);
H01L2924/01023 (EP,US);
H01L2924/01032 (EP,US);
H01L2924/01033 (EP,US);
H01L2924/01049 (EP,US);
H01L2924/01074 (EP,US);
H01L2924/01078 (EP,US);
H01L2924/05042 (EP,US);
H01L2924/10329 (EP,US);
H01L2924/10336 (EP,US);
H01L2924/1305 (EP,US);
H01L2924/14 (EP,US);
H01L2924/30105 (EP,US);
H01L2924/3025 (EP,US)
(-)
| C-Set: |
H01L2924/1305, H01L2924/00 (EP,US);
H01L2924/14, H01L2924/00 (US,EP) |
Précédent IPC [1997/27] | H01L29/06, H01L29/423 | Etats contractants désignés | DE, ES, GB, IT [1997/27] | Titre | Allemand: | Bipolartransistor für hohe Spannungen unter Benutzung von feldabgeschlossenen Anschlusselektroden | [1997/27] | Anglais: | High-voltage bipolar transistor utilizing field-terminated bond-pad electrodes | [1997/27] | Français: | Transistor bipolaire à haute tension utilisant des électrodes de plage de contact isolées du champ | [1997/27] | Procédure d'examen | 15.06.1998 | Requête en examen déposée [1998/33] | 30.12.1998 | Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04) | 03.04.1999 | Réponse à une notification de la division dexamen | 03.05.1999 | Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04) | 26.07.1999 | Réponse à une notification de la division dexamen | 20.09.2000 | Envoi de la notification relative à l'intention de délivrer le brevet (Accord : Oui) | 24.10.2000 | Notification relative à l'intention de délivrer le brevet | 30.01.2001 | Taxe de délivrance payée | 30.01.2001 | Taxe publication/d‘impression payée | Opposition(s) | 26.01.2002 | Aucune opposition formée dans le délai imparti [2002/16] | Taxes payées | Taxe annuelle | 18.11.1998 | Taxe annuelle Année du brevet 03 | 17.11.1999 | Taxe annuelle Année du brevet 04 | 17.11.2000 | Taxe annuelle Année du brevet 05 |
Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet | Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation | ||
La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni. | Citations: | Recherche | [XA]FR1587469 (GENERAL ELECTRIC) [X] 1-7,9,10 * figure 1 * [A] 8; | [X]EP0450320 (TOSHIBA KK [JP]) [X] 1,5,7 * figure 2 *; | [X]US5109266 (KIDA TAKESHI [JP], et al) [X] 1-4,7,9,10 * figures 1,12 *; | [A]US5401682 (YANG SHENG-HSING [TW]) [A] 2,9* figures 1,2G * | Examen | US3573571 | par le demandeur | US2569347 |