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Extrait du Registre européen des brevets

EP Présentation générale: EP0782198

EP0782198 - Transistor bipolaire à haute tension utilisant des électrodes de plage de contact isolées du champ [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets]
StatutAucune opposition formée dans le délai
Statut actualisé le  02.03.2002
Base de données mise à jour au 29.10.2024
Dernier événement   Tooltip02.03.2002Aucune opposition formée dans le délaipublié le 17.04.2002  [2002/16]
Demandeur(s)Pour tous les Etats désignés
RAYTHEON COMPANY
141 Spring Street
Lexington
Massachusetts 02173 / US
[N/P]
Précédent [2001/17]Pour tous les Etats désignés
RAYTHEON COMPANY
141 Spring Street
Lexington, Massachusetts 02173 / US
Précédent [1998/51]Pour tous les Etats désignés
RAYTHEON COMPANY
141 Spring Street
Lexington Massachusetts 02173 / US
Précédent [1997/27]Pour tous les Etats désignés
HE HOLDINGS, INC. dba HUGHES ELECTRONICS
7200 Hughes Terrace
Los Angeles, CA 90045-0066 / US
Inventeur(s)01 / Hooper, William W.
1741 Royal Saint George Drive
Westlake Village, California 91362 / US
02 / Case, Michael G.
211 Sandberg Street
Thousand Oaks, California 91360 / US
03 / Nguyen, Chanh N.
2080 West Hillcrest No. 203
Newbury Park, California 92320 / US
[1997/27]
Mandataire(s)Witte, Alexander, et al
Witte, Weller, Gahlert, Otten & Steil, Patentanwälte, Rotebühlstrasse 121
70178 Stuttgart / DE
[N/P]
Précédent [1997/27]Witte, Alexander, Dr.-Ing., et al
Witte, Weller, Gahlert, Otten & Steil, Patentanwälte, Rotebühlstrasse 121
70178 Stuttgart / DE
Numéro de la demande, date de dépôt96120399.918.12.1996
[1997/27]
Numéro de priorité, dateUS1995057879626.12.1995         Format original publié: US 578796
[1997/27]
Langue de dépôtEN
Langue de la procédureEN
PublicationType: A2 Demande sans rapport de recherche 
N°:EP0782198
Date:02.07.1997
Langue:EN
[1997/27]
Type: A3 Rapport de recherche 
N°:EP0782198
Date:17.12.1997
[1997/51]
Type: B1 Fascicule de brevet 
N°:EP0782198
Date:25.04.2001
Langue:EN
[2001/17]
Rapport(s) de rechercheRapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le:EP29.10.1997
ClassificationIPC:H01L29/06, H01L29/423, H01L29/417, H01L23/485
[1997/49]
CPC:
H01L29/402 (EP,US); H01L24/02 (US); H01L29/41708 (EP,US);
H01L2224/04042 (EP); H01L24/05 (EP); H01L2924/01004 (EP,US);
H01L2924/01005 (EP,US); H01L2924/01006 (EP,US); H01L2924/01013 (EP,US);
H01L2924/01014 (EP,US); H01L2924/01015 (EP,US); H01L2924/01019 (EP,US);
H01L2924/01023 (EP,US); H01L2924/01032 (EP,US); H01L2924/01033 (EP,US);
H01L2924/01049 (EP,US); H01L2924/01074 (EP,US); H01L2924/01078 (EP,US);
H01L2924/05042 (EP,US); H01L2924/10329 (EP,US); H01L2924/10336 (EP,US);
H01L2924/1305 (EP,US); H01L2924/14 (EP,US); H01L2924/30105 (EP,US);
H01L2924/3025 (EP,US) (-)
C-Set:
H01L2924/1305, H01L2924/00 (EP,US);
H01L2924/14, H01L2924/00 (US,EP)
Précédent IPC [1997/27]H01L29/06, H01L29/423
Etats contractants désignésDE,   ES,   GB,   IT [1997/27]
TitreAllemand:Bipolartransistor für hohe Spannungen unter Benutzung von feldabgeschlossenen Anschlusselektroden[1997/27]
Anglais:High-voltage bipolar transistor utilizing field-terminated bond-pad electrodes[1997/27]
Français:Transistor bipolaire à haute tension utilisant des électrodes de plage de contact isolées du champ[1997/27]
Procédure d'examen15.06.1998Requête en examen déposée  [1998/33]
30.12.1998Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04)
03.04.1999Réponse à une notification de la division dexamen
03.05.1999Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04)
26.07.1999Réponse à une notification de la division dexamen
20.09.2000Envoi de la notification relative à l'intention de délivrer le brevet (Accord : Oui)
24.10.2000Notification relative à l'intention de délivrer le brevet
30.01.2001Taxe de délivrance payée
30.01.2001Taxe publication/d‘impression payée
Opposition(s)26.01.2002Aucune opposition formée dans le délai imparti [2002/16]
Taxes payéesTaxe annuelle
18.11.1998Taxe annuelle Année du brevet 03
17.11.1999Taxe annuelle Année du brevet 04
17.11.2000Taxe annuelle Année du brevet 05
Dérogation à la compétence  Tooltip
exclusive de la juridiction
unifiée du brevet
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La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni.
Citations:Recherche[XA]FR1587469  (GENERAL ELECTRIC) [X] 1-7,9,10 * figure 1 * [A] 8;
 [X]EP0450320  (TOSHIBA KK [JP]) [X] 1,5,7 * figure 2 *;
 [X]US5109266  (KIDA TAKESHI [JP], et al) [X] 1-4,7,9,10 * figures 1,12 *;
 [A]US5401682  (YANG SHENG-HSING [TW]) [A] 2,9* figures 1,2G *
ExamenUS3573571
par le demandeurUS2569347
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