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Nouvelle version du Registre européen des brevets – des informations relatives aux procédures CCP sont disponibles dans le Registre européen des brevets.

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Extrait du Registre européen des brevets

EP Présentation générale: EP0818560

EP0818560 - Fabrication d'un film sur une tranche semi-conductrice [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets]
StatutLa demande a été rejetée
Statut actualisé le  05.06.2009
Base de données mise à jour au 20.09.2024
Dernier événement   Tooltip05.06.2009Rejet de la demandepublié le 08.07.2009  [2009/28]
Demandeur(s)Pour tous les Etats désignés
Applied Materials, Inc.
3050 Bowers Avenue
M/S 2061
Santa Clara, California 95054-3299 / US
[N/P]
Précédent [1998/03]Pour tous les Etats désignés
APPLIED MATERIALS, INC.
3050 Bowers Avenue, M/S 2061
Santa Clara, California 95054-3299 / US
Inventeur(s)01 / Chern, Chyl
20110 Knollwood Drive
Saratoga California 95070 / US
02 / Danek, Michal
1538 Blackhawk Drive
Sunnyvale California 94087 / US
03 / Liao, Marvin
85 Jalan Woodbridge
799018 Singapore / KR
04 / Mosely, Roderick C.
4337 Diavila Avenue
Pleasanton California 94588 / US
05 / Littau, Karl
3278 Bryant Street
Palo Alto California 94303 / US
06 / Raaijmakers, Ivo
2741 East Bighorn Avenue
Phoenix Arizona 85048 / US
07 / Smith, David C.
3452 Wheeling Drive
Santa Clara California 95051 / US
[1998/03]
Mandataire(s)Bayliss, Geoffrey Cyril, et al
BOULT WADE TENNANT
Verulam Gardens
70 Gray's Inn Road
London WC1X 8BT / GB
[N/P]
Précédent [1998/03]Bayliss, Geoffrey Cyril, et al
BOULT WADE TENNANT, 27 Furnival Street
London EC4A 1PQ / GB
Numéro de la demande, date de dépôt97305021.409.07.1997
[1998/03]
Numéro de priorité, dateUS1996067721809.07.1996         Format original publié: US 677218
US1996067718509.07.1996         Format original publié: US 677185
US1996068091312.07.1996         Format original publié: US 680913
US1997081022128.02.1997         Format original publié: US 810221
[1998/03]
Langue de dépôtEN
Langue de la procédureEN
PublicationType: A2 Demande sans rapport de recherche 
N°:EP0818560
Date:14.01.1998
Langue:EN
[1998/03]
Type: A3 Rapport de recherche 
N°:EP0818560
Date:03.01.2001
[2001/01]
Rapport(s) de rechercheRapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le:EP15.11.2000
ClassificationIPC:C23C16/56, C23C16/34, C23C16/52, H01L21/318, H01L21/324
[1998/03]
CPC:
H01L21/76864 (EP,US); C23C16/34 (EP,US); C23C16/45565 (EP,US);
C23C16/4581 (EP,US); C23C16/4586 (EP,US); C23C16/481 (EP,US);
C23C16/5096 (EP,US); C23C16/56 (EP,US); H01J37/32174 (EP,US);
H01L21/28512 (EP,US); H01L21/76843 (EP,US); H01L21/76856 (EP,US);
H01L21/76862 (EP,US); H01J2237/2001 (EP,US); H01J2237/336 (EP,US) (-)
Etats contractants désignésDE,   GB [2001/38]
Précédent [1998/03]AT,  BE,  CH,  DE,  DK,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  IE,  IT,  LI,  LU,  MC,  NL,  PT,  SE 
TitreAllemand:Herstellung eines Films auf einem Halbleiterscheibchen[1998/03]
Anglais:Construction of a film on a semiconductor wafer[1998/03]
Français:Fabrication d'un film sur une tranche semi-conductrice[1998/03]
Procédure d'examen02.07.2001Requête en examen déposée  [2001/35]
03.02.2006Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04)
13.06.2006Réponse à une notification de la division dexamen
11.09.2006Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04)
22.01.2007Réponse à une notification de la division dexamen
22.01.2009Demande rejetée, date d'effet juridique [2009/28]
22.01.2009Date des procédures orales
18.02.2009Envoi de la notification signalant le rejet de la demande, motif: examen quant au font [2009/28]
18.02.2009Procès-verbal des procédures orales envoyé
Taxes payéesTaxe annuelle
01.06.1999Taxe annuelle Année du brevet 03
07.08.2000Taxe annuelle Année du brevet 04
25.05.2001Taxe annuelle Année du brevet 05
01.07.2002Taxe annuelle Année du brevet 06
04.07.2003Taxe annuelle Année du brevet 07
09.07.2004Taxe annuelle Année du brevet 08
08.07.2005Taxe annuelle Année du brevet 09
10.07.2006Taxe annuelle Année du brevet 10
04.07.2007Taxe annuelle Année du brevet 11
10.07.2008Taxe annuelle Année du brevet 12
Surtaxe
Surtaxe concernant la taxe annuelle
01.08.200004   M06   Taxe payée le   07.08.2000
Dérogation à la compétence  Tooltip
exclusive de la juridiction
unifiée du brevet
Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation
La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni.
Citations:Recherche[XA]JPH06120152  ;
 [XA]EP0711846  (APPLIED MATERIALS INC [US]) [X] 13-15 * page 6, line 23 - line 41; claims 1-9 * [A] 1-12,16-63;
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 [PX]GB2299345  (HYUNDAI ELECTRONICS IND [KR]) [PX] 1,12 * page 2, line 21 - page 3, line 23 *;
 [A]DE4342047  (SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD [KR]) [A] 21-35,46-54,60-63 * claims 1-5,9-11 *;
 [A]US5232871  (HO HUEI-MIN [US]) [A] 13-20,57-59 * column 7, line 28 - column 8, line 40; claims 1-8 *
 [XA]  - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19940727), vol. 018, no. 403, Database accession no. (E - 1584), & JP06120152 A 19940428 (NIPPONDENSO CO LTD) [X] 1 * abstract * [A] 36,40,55
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