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Nouvelle version du Registre européen des brevets – des informations relatives aux procédures CCP sont disponibles dans le Registre européen des brevets.

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Extrait du Registre européen des brevets

EP Présentation générale: EP0871228

EP0871228 - Substrat semi-conducteur, dispositif semi-conducteur et procédé de fabrication [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets]
StatutLa demande a été rejetée
Statut actualisé le  09.04.2010
Base de données mise à jour au 14.09.2024
Dernier événement   Tooltip09.04.2010Rejet de la demandepublié le 12.05.2010  [2010/19]
Demandeur(s)Pour tous les Etats désignés
Panasonic Corporation
1006, Oaza Kadoma
Kadoma-shi
Osaka 571-8501 / JP
[N/P]
Précédent [2008/47]Pour tous les Etats désignés
Panasonic Corporation
1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi
Osaka 571-8501 / JP
Précédent [2001/37]Pour tous les Etats désignés
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
1006, Oaza Kadoma
Kadoma-shi, Osaka / JP
Précédent [1998/42]Pour tous les Etats désignés
Matsushita Electronics Corporation
1-1, Saiwai-cho
Takatsuki-shi, Osaka 569-1193 / JP
Inventeur(s)01 / Hashimoto, Tadao
1-23-2-202, Mizudo-cho
Amagasaki-shi, Hyogo 661-0027 / JP
02 / Imafuji, Osamu
1-10-5-507, Kamihamuro
Takatsuki-shi, Osaka 569-1044 / JP
03 / Yuri, Masaaki
6-26-1201, Funaki-cho
Ibaraki-shi, Osaka 567-0829 / JP
04 / Ishida, Masahiro
2-30-10, Takayanagi
Neyagawa-shi, Osaka 572-0051 / JP
[1998/42]
Mandataire(s)Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB
Leopoldstraße 4
80802 München / DE
[N/P]
Précédent [1998/42]Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser Anwaltssozietät
Maximilianstrasse 58
80538 München / DE
Numéro de la demande, date de dépôt98106483.508.04.1998
[1998/42]
Numéro de priorité, dateJP1997009067509.04.1997         Format original publié: JP 9067597
[1998/42]
Langue de dépôtEN
Langue de la procédureEN
PublicationType: A2 Demande sans rapport de recherche 
N°:EP0871228
Date:14.10.1998
Langue:EN
[1998/42]
Type: A3 Rapport de recherche 
N°:EP0871228
Date:24.10.2001
[2001/43]
Rapport(s) de rechercheRapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le:EP10.09.2001
ClassificationIPC:H01L33/00, H01S3/19, H01L27/15
[2001/43]
CPC:
H01L33/007 (EP,US); B82Y20/00 (EP,US); C30B25/18 (EP,US);
H01S2301/173 (EP,US); H01S5/0207 (EP,US); H01S5/021 (EP,US);
H01S5/2231 (EP,US); H01S5/3201 (EP,US); H01S5/34333 (EP,US) (-)
Précédent IPC [1998/42]H01L33/00, H01S3/19
Etats contractants désignésDE,   GB [2002/29]
Précédent [1998/42]AT,  BE,  CH,  CY,  DE,  DK,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  IE,  IT,  LI,  LU,  MC,  NL,  PT,  SE 
TitreAllemand:Halbleitersubstrat, Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren[1998/42]
Anglais:Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing the same[1998/42]
Français:Substrat semi-conducteur, dispositif semi-conducteur et procédé de fabrication[1998/42]
Procédure d'examen28.03.2002Requête en examen déposée  [2002/23]
11.05.2006Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M06)
17.11.2006Réponse à une notification de la division dexamen
27.08.2007Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M06)
07.02.2008Réponse à une notification de la division dexamen
17.11.2009Demande rejetée, date d'effet juridique [2010/19]
17.11.2009Date des procédures orales
10.12.2009Envoi de la notification signalant le rejet de la demande, motif: examen quant au font [2010/19]
10.12.2009Procès-verbal des procédures orales envoyé
Taxes payéesTaxe annuelle
26.04.2000Taxe annuelle Année du brevet 03
26.04.2001Taxe annuelle Année du brevet 04
29.04.2002Taxe annuelle Année du brevet 05
29.04.2003Taxe annuelle Année du brevet 06
30.04.2004Taxe annuelle Année du brevet 07
29.04.2005Taxe annuelle Année du brevet 08
29.03.2006Taxe annuelle Année du brevet 09
27.04.2007Taxe annuelle Année du brevet 10
26.03.2008Taxe annuelle Année du brevet 11
29.04.2009Taxe annuelle Année du brevet 12
Dérogation à la compétence  Tooltip
exclusive de la juridiction
unifiée du brevet
Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation
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Citations:Recherche[Y]EP0332329  (FUJITSU LTD [JP]) [Y] 15,17 * the whole document *;
 [XY]US4990972  (SATOH SHIRO [JP], et al) [X] 1,2,4,6-14,16 * column 3, line 42 - column 4, line 26 * [Y] 15,17;
 [X]JPH08330628  (TOSHIBA CORP) [X] 1,2,4,6,7,9,10,12-14,16;
 [PX]EP0810674  (SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES [JP]) [PX] 1,2,4,6-14,16* the whole document *;
 [E]US5864171  (YAMAMOTO MASAHIRO [JP], et al) [E] 1,2,4,6,7,9,10,12-14,16 * column 13, line 38 - column 15, line 21 *
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