EP0871228 - Substrat semi-conducteur, dispositif semi-conducteur et procédé de fabrication [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets] | Statut | La demande a été rejetée Statut actualisé le 09.04.2010 Base de données mise à jour au 14.09.2024 | Dernier événement Tooltip | 09.04.2010 | Rejet de la demande | publié le 12.05.2010 [2010/19] | Demandeur(s) | Pour tous les Etats désignés Panasonic Corporation 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi Osaka 571-8501 / JP | [N/P] |
Précédent [2008/47] | Pour tous les Etats désignés Panasonic Corporation 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi Osaka 571-8501 / JP | ||
Précédent [2001/37] | Pour tous les Etats désignés MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka / JP | ||
Précédent [1998/42] | Pour tous les Etats désignés Matsushita Electronics Corporation 1-1, Saiwai-cho Takatsuki-shi, Osaka 569-1193 / JP | Inventeur(s) | 01 /
Hashimoto, Tadao 1-23-2-202, Mizudo-cho Amagasaki-shi, Hyogo 661-0027 / JP | 02 /
Imafuji, Osamu 1-10-5-507, Kamihamuro Takatsuki-shi, Osaka 569-1044 / JP | 03 /
Yuri, Masaaki 6-26-1201, Funaki-cho Ibaraki-shi, Osaka 567-0829 / JP | 04 /
Ishida, Masahiro 2-30-10, Takayanagi Neyagawa-shi, Osaka 572-0051 / JP | [1998/42] | Mandataire(s) | Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB Leopoldstraße 4 80802 München / DE | [N/P] |
Précédent [1998/42] | Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser Anwaltssozietät Maximilianstrasse 58 80538 München / DE | Numéro de la demande, date de dépôt | 98106483.5 | 08.04.1998 | [1998/42] | Numéro de priorité, date | JP19970090675 | 09.04.1997 Format original publié: JP 9067597 | [1998/42] | Langue de dépôt | EN | Langue de la procédure | EN | Publication | Type: | A2 Demande sans rapport de recherche | N°: | EP0871228 | Date: | 14.10.1998 | Langue: | EN | [1998/42] | Type: | A3 Rapport de recherche | N°: | EP0871228 | Date: | 24.10.2001 | [2001/43] | Rapport(s) de recherche | Rapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le: | EP | 10.09.2001 | Classification | IPC: | H01L33/00, H01S3/19, H01L27/15 | [2001/43] | CPC: |
H01L33/007 (EP,US);
B82Y20/00 (EP,US);
C30B25/18 (EP,US);
H01S2301/173 (EP,US);
H01S5/0207 (EP,US);
H01S5/021 (EP,US);
|
Précédent IPC [1998/42] | H01L33/00, H01S3/19 | Etats contractants désignés | DE, GB [2002/29] |
Précédent [1998/42] | AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LI, LU, MC, NL, PT, SE | Titre | Allemand: | Halbleitersubstrat, Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren | [1998/42] | Anglais: | Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing the same | [1998/42] | Français: | Substrat semi-conducteur, dispositif semi-conducteur et procédé de fabrication | [1998/42] | Procédure d'examen | 28.03.2002 | Requête en examen déposée [2002/23] | 11.05.2006 | Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M06) | 17.11.2006 | Réponse à une notification de la division dexamen | 27.08.2007 | Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M06) | 07.02.2008 | Réponse à une notification de la division dexamen | 17.11.2009 | Demande rejetée, date d'effet juridique [2010/19] | 17.11.2009 | Date des procédures orales | 10.12.2009 | Envoi de la notification signalant le rejet de la demande, motif: examen quant au font [2010/19] | 10.12.2009 | Procès-verbal des procédures orales envoyé | Taxes payées | Taxe annuelle | 26.04.2000 | Taxe annuelle Année du brevet 03 | 26.04.2001 | Taxe annuelle Année du brevet 04 | 29.04.2002 | Taxe annuelle Année du brevet 05 | 29.04.2003 | Taxe annuelle Année du brevet 06 | 30.04.2004 | Taxe annuelle Année du brevet 07 | 29.04.2005 | Taxe annuelle Année du brevet 08 | 29.03.2006 | Taxe annuelle Année du brevet 09 | 27.04.2007 | Taxe annuelle Année du brevet 10 | 26.03.2008 | Taxe annuelle Année du brevet 11 | 29.04.2009 | Taxe annuelle Année du brevet 12 |
Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet | Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation | ||
La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni. | Citations: | Recherche | [Y]EP0332329 (FUJITSU LTD [JP]) [Y] 15,17 * the whole document *; | [XY]US4990972 (SATOH SHIRO [JP], et al) [X] 1,2,4,6-14,16 * column 3, line 42 - column 4, line 26 * [Y] 15,17; | [X]JPH08330628 (TOSHIBA CORP) [X] 1,2,4,6,7,9,10,12-14,16; | [PX]EP0810674 (SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES [JP]) [PX] 1,2,4,6-14,16* the whole document *; | [E]US5864171 (YAMAMOTO MASAHIRO [JP], et al) [E] 1,2,4,6,7,9,10,12-14,16 * column 13, line 38 - column 15, line 21 * |