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EP0874393
Procédure d'examen
Extrait du Registre européen des brevets
EP Présentation générale: EP0874393
| EP0874393 - Procédé de fabrication de condensateurs pour circuits intégrés ayant des caractéristiques améliorées d'électrode et de diélectrique et condensateurs ainsi obtenus [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets] | Statut | La demande est réputée retirée Statut actualisé le 27.06.2008 Base de données mise à jour au 18.11.2024 | Dernier événement Tooltip | 27.06.2008 | Demande réputée retirée | publié le 30.07.2008 [2008/31] | Demandeur(s) | Pour tous les Etats désignés Samsung Electronics Co., Ltd. 416 Maetan-dong Paldal-gu Suwon City, Kyungki-do / KR | [N/P] |
| Précédent [1998/44] | Pour tous les Etats désignés Samsung Electronics Co., Ltd. 416 Maetan-dong, Paldal-gu Suwon City, Kyungki-do / KR | Inventeur(s) | 01 /
Kim, Young-Sun 20-33 Gongduk-Dong Mapo-Gu, Seoul / KR | 02 /
Won, Seok-Jun No. 1603-25, Bongcheon 7-dong Kwanak-gu, Seoul / KR | 03 /
Kim, Young-Min No. 380 Kugal-ri, Kiheung-eup Yongin-city, Kyungki-do / KR | 04 /
Kim, Kyung-Hoon No. 31-4, Wonhyoro 1-ga Yongsan-gu, Seoul / KR | 05 /
Nam, Kab-Jin No. 244-26 Hwaseo 2-dong, Jangahn-gu Suwon-city, Kyungki-do / KR | 06 /
Kim, Young-Dae No. 278-1, Younghwa-dong, Jangahn-gu Suwon-city, Kyungki-do / KR | 07 /
Park, Young-Wook No. 37-42, Jeongja-dong, Jangahn-gu Suwon-city, Kyungki-do / KR | 08 /
Lee, Seung-Hwan 817-7, Bangbae-Dong Seocho-Gu, Seoul / KR | 09 /
Lee, Sang-Hyeop No. 1403-B-Marronnier-dong,7-1 Nongseo-li Kihung-up, Yongsin-shi, Kyunggi-do / KR | 10 /
Shim, Se-Jin 1804-503 Haetbit-maeul, Dukyang-gu Koyang-shi, Kyunggi-do / KR | 11 /
Jin, You Chan 101-801, Woosung Apt, Maetan-Dong Paldal-Gu, Suwon-City, Kyunggi-Do / KR | 12 /
Moon, Ju-Tae 1309 Youngkwang-APT, Songjuk-dong, Jangan-gu Suwon-shi, Kyunggi-do / KR | 13 /
Choi, Jin-Seok 104-202, Hankiik Apt, Maetan-Dong Paldal-Gu, Suwon-City, Kyunggi-Do / KR | [1999/04] |
| Précédent [1998/48] | 01 /
Kim, Young-Sun 20-33 Gongduk-Dong Mapo-Gu, Seoul / KR | ||
| 02 /
Won, Seok-Jun No. 1603-25, Bongcheon 7-dong Kwanak-gu, Seoul / KR | |||
| 03 /
Kim, Young-Min No. 380 Kugal-ri, Kiheung-eup Yongin-city, Kyungki-do / KR | |||
| 04 /
Kim, Kyung-Hoon No. 31-4, Wonhyoro 1-ga Yongsan-gu, Seoul / KR | |||
| 05 /
Nam, Kab-Jin No. 244-26 Hwaseo 2-dong, Jangahn-gu Suwon-city, Kyungki-do / KR | |||
| 06 /
Kim, Young-Dae No. 278-1, Younghwa-dong, Jangahn-gu Suwon-city, Kyungki-do / KR | |||
| 07 /
Park, Young-Wook No. 37-42, Jeongja-dong, Jangahn-gu Suwon-city, Kyungki-do / KR | |||
| 08 /
Lee, Seung-Hwan 817-7, Bangbae-Dong Seocho-Gu, Seoul / KR | |||
| 09 /
Lee, Sang-Hyeop No. 1403-B-Marronnier-dong,7-1 Nongseo-li Kihung-up, Yongsin-shi, Kyunggi-do / KR | |||
| 10 /
Shim, Se-Jin 108-2, Guro-Dong Guro-Gu, Seoul / KR | |||
| 11 /
Jin, You Chan 101-801, Woosung Apt, Maetan-Dong Paldal-Gu, Suwon-City, Kyunggi-Do / KR | |||
| 12 /
Moon, Ju-Tae 65 Songjook-Dong, Jangan-Gu Suwon-City, Kyunggi-Do / KR | |||
| 13 /
Choi, Jin-Seok 104-202, Hankiik Apt, Maetan-Dong Paldal-Gu, Suwon-City, Kyunggi-Do / KR | |||
| Précédent [1998/44] | 01 /
Kim, Young-Sun 20-33 Gongduk-Dong Mapo-Gu, Seoul / KR | ||
| 02 /
Won, Seok-Jun No. 1603-25, Bongcheon 7-dong Kwanak-gu, Seoul / KR | |||
| 03 /
Kim, Young-Min No. 380 Kugal-ri, Kiheung-eup Yongin-city, Kyungki-do / KR | |||
| 04 /
Kim, Kyung-Hoon No. 31-4, Wonhyoro 1-ga Yongsan-gu, Seoul / KR | |||
| 05 /
Nam, Kab-Jin No. 244-26 Hwaseo 2-dong, Jangahn-gu Suwon-city, Kyungki-do / KR | |||
| 06 /
Kim, Young-Dae No. 278-1, Younghwa-dong, Jangahn-gu Suwon-city, Kyungki-do / KR | |||
| 07 /
Park, Young-Wook No. 37-42, Jeongja-dong, Jangahn-gu Suwon-city, Kyungki-do / KR | |||
| 08 /
Lee, Seung-Hwan 817-7, Bangbae-Dong Seocho-Gu, Seoul / KR | |||
| 09 /
Lee, Sang-Hyeop 19 Jamsil-Dong SongPa-gu, Seoul / KR | |||
| 10 /
Shim, Se-Jin 108-2, Guro-Dong Guro-Gu, Seoul / KR | |||
| 11 /
Jin, You Chan 101-801, Woosung Apt, Maetan-Dong Paldal-Gu, Suwon-City, Kyunggi-Do / KR | |||
| 12 /
Moon, Ju-Tae 65 Songjook-Dong, Jangan-Gu Suwon-City, Kyunggi-Do / KR | |||
| 13 /
Choi, Jin-Seok 104-202, Hankiik Apt, Maetan-Dong Paldal-Gu, Suwon-City, Kyunggi-Do / KR | Mandataire(s) | Tunstall, Christopher Stephen Harrison Goddard Foote Fountain Precinct Balm Green Sheffield S1 2JA / GB | [N/P] |
| Précédent [1998/44] | Tunstall, Christopher Stephen Dibb Lupton Alsop, Fountain Precinct Balm Green, Sheffield S1 1RZ / GB | Numéro de la demande, date de dépôt | 98302397.9 | 27.03.1998 | [1998/44] | Numéro de priorité, date | KR19970035460 | 28.07.1997 Format original publié: KR 9735460 | KR19970048930 | 26.09.1997 Format original publié: KR 9748930 | KR19970014833 | 22.04.1997 Format original publié: KR 9714833 | KR19970023381 | 05.06.1997 Format original publié: KR 9723381 | KR19970016812 | 30.04.1997 Format original publié: KR 9716812 | [1998/44] | Langue de dépôt | EN | Langue de la procédure | EN | Publication | Type: | A2 Demande sans rapport de recherche | N°: | EP0874393 | Date: | 28.10.1998 | Langue: | EN | [1998/44] | Type: | A3 Rapport de recherche | N°: | EP0874393 | Date: | 05.12.2001 | [2001/49] | Rapport(s) de recherche | Rapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le: | EP | 23.10.2001 | Classification | IPC: | H01L21/3205, H01L21/02 | [2001/48] | CPC: |
H01L28/84 (EP,US);
Y10S438/964 (EP,US)
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| Précédent IPC [1998/44] | H01L21/3205 | Etats contractants désignés | DE, FR, GB, IT, NL [2002/44] |
| Précédent [2002/35] | DE, FR, GB | ||
| Précédent [1998/44] | AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LI, LU, MC, NL, PT, SE | Titre | Allemand: | Herstellungsverfahren von Kondensatoren für integrierte Schaltungen mit verbesserten Charakteristiken von Elektroden- und Dielektricumschichten sowie so hergestllete Kondensatoren | [1998/44] | Anglais: | Methods of forming integrated circuit capacitors having improved electrode and dielectric layer characteristics and capacitors formed thereby | [1998/44] | Français: | Procédé de fabrication de condensateurs pour circuits intégrés ayant des caractéristiques améliorées d'électrode et de diélectrique et condensateurs ainsi obtenus | [1998/44] | Procédure dexamen | 06.04.1998 | Requête en examen déposée [1998/44] | 14.04.2005 | Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04) | 15.08.2005 | Réponse à une notification de la division dexamen | 27.07.2007 | Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M06) | 07.02.2008 | La demande est réputée retirée, date d'effet juridique [2008/31] | 14.03.2008 | Envoi dune notification signalant que la demande est réputée retirée, motif: {0} [2008/31] | Taxes payées | Taxe annuelle | 26.01.2000 | Taxe annuelle Année du brevet 03 | 16.02.2001 | Taxe annuelle Année du brevet 04 | 22.02.2002 | Taxe annuelle Année du brevet 05 | 31.01.2003 | Taxe annuelle Année du brevet 06 | 12.02.2004 | Taxe annuelle Année du brevet 07 | 18.02.2005 | Taxe annuelle Année du brevet 08 | 01.03.2006 | Taxe annuelle Année du brevet 09 | 20.12.2006 | Taxe annuelle Année du brevet 10 | Surtaxe | Surtaxe règle 85bis: taxe nationale de base CBE 1973 | 11.07.2002 | IT M01 Taxe payée le 31.07.2002 | 11.07.2002 | NL M01 Taxe payée le 31.07.2002 | Surtaxe concernant la taxe annuelle | 31.03.2008 | 11 M06 Pas encore payé |
| Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet | Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation | ||
| La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni. | Citations: | Recherche | [X]JPH08298312 ; | [A]US5663085 (TANIGAWA TAKAHO [JP]) [A] 4-7,9-15,17,18,25-30,32-52 * column 3, line 50 - column 4, line 61 * * column 8, line 22 - line 45 * * claims 1-3 *; | [XA]EP0557590 (SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD [KR]) [X] 1,2,4,5,16 * column 5, line 40 - column 7, line 20 * * figures 9,10,27-30 * [A] 3,6-15,17-52; | [XA]DE4419074 (MICRON SEMICONDUCTOR INC [US]) [X] 1,19 * the whole document * [A] 2-18,20-52; | [XA]US5597754 (LOU CHINE-GIE [TW], et al) [X] 1 * the whole document * [A] 2-52; | [PX]US5723887 (TSUCHIMOTO JUNICHI [JP], et al) [PX] 1-5,7,9,10,16,17 * column 3, line 55 - column 6, line 40 *; | [A]US5266514 (TUAN HSIAO-CHIN [TW], et al) [A] 1-52 * column 4, line 33 - line 47 * * claims 1-20 *; | [A]US5612558 (HARSHFIELD STEVEN T [US]) [A] 1,21-23,41-52 * the whole document * | [X] - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19970331), vol. 1997, no. 03, & JP08298312 A 19961112 (NEC CORP) [X] 1-3,8,16,19-21,23,24,31 * abstract * | [XA] - HIROHITO WATANABE ET AL, "HEMISPHERICAL GRAINED SI FORMATION ON IN-SITU PHOSPHORUS DOPED AMORPHOUS-SI ELECTRODE FOR 256MB DRAM'S CAPACITOR", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, IEEE INC. NEW YORK, US, (19950701), vol. 42, no. 7, ISSN 0018-9383, pages 1247 - 1253, XP000515060 [X] 1-5,7,8,19,20 * the whole document * [A] 6,9-18,21-52 DOI: http://dx.doi.org/10.1109/16.391206 |