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Extrait du Registre européen des brevets

EP Présentation générale: EP0918336

EP0918336 - Mémoire non volatile programmable et effaçable électriquement comprenant une zone protégeable en lecture et/ou en écriture et système électronique l'incorporant [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets]
StatutAucune opposition formée dans le délai
Statut actualisé le  09.04.2004
Base de données mise à jour au 04.11.2024
Dernier événement   Tooltip09.04.2004Aucune opposition formée dans le délaipublié le 26.05.2004  [2004/22]
Demandeur(s)Pour tous les Etats désignés
STMicroelectronics S.A.
29, Boulevard Romain Rolland
92120 Montrouge / FR
[2001/51]
Précédent [1999/21]Pour tous les Etats désignés
STMicroelectronics SA
7, avenue Gallieni
94250 Gentilly Cedex / FR
Inventeur(s)01 / Mani, Christophe
Cabinet Ballot-Schmit, 7 rue Le Sueur
75116 Paris / FR
02 / Chehadi, Mohamad
Cabinet Ballot-Schmit, 7 rue Le Sueur
75116 Paris / FR
[1999/21]
Mandataire(s)Ballot, Paul Denis Jacques, et al
Cabinet Ballot
122, rue Edouard Vaillant
92593 Levallois-Perret Cedex / FR
[N/P]
Précédent [1999/21]Ballot, Paul Denis Jacques, et al
Cabinet Ballot-Schmit, 7, rue Le Sueur
75116 Paris / FR
Numéro de la demande, date de dépôt98402620.321.10.1998
[1999/21]
Numéro de priorité, dateFR1997001335924.10.1997         Format original publié: FR 9713359
[1999/21]
Langue de dépôtFR
Langue de la procédureFR
PublicationType: A1 Demande avec rapport de recherche 
N°:EP0918336
Date:26.05.1999
Langue:FR
[1999/21]
Type: B1 Fascicule de brevet 
N°:EP0918336
Date:04.06.2003
Langue:FR
[2003/23]
Rapport(s) de rechercheRapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le:EP03.02.1999
ClassificationIPC:G11C16/06, G11C8/00, G06F12/14
[1999/21]
CPC:
G06F21/79 (EP,US); G06F12/1441 (EP,US); G11C16/22 (EP,US);
G11C8/20 (EP,US)
Etats contractants désignésDE,   FR,   GB,   IT [2000/05]
Précédent [1999/21]AT,  BE,  CH,  CY,  DE,  DK,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  IE,  IT,  LI,  LU,  MC,  NL,  PT,  SE 
TitreAllemand:Elektrisch programmier- und löschbarer nichtflüchtiger Speicher mit einem lese- und/oder schreibgeschützen Bereich einschliesslich zugehöriger elektronischer Schaltung[1999/21]
Anglais:Electrically programmable and erasable non volatile memory with read- and/or write protection and incorporated electronical system[1999/21]
Français:Mémoire non volatile programmable et effaçable électriquement comprenant une zone protégeable en lecture et/ou en écriture et système électronique l'incorporant[1999/21]
Procédure d'examen15.10.1999Requête en examen déposée  [1999/51]
22.11.2002Notification relative à l'intention de délivrer le brevet
27.02.2003Taxe de délivrance payée
27.02.2003Taxe publication/d‘impression payée
Opposition(s)05.03.2004Aucune opposition formée dans le délai imparti [2004/22]
Taxes payéesTaxe annuelle
11.10.2000Taxe annuelle Année du brevet 03
11.10.2001Taxe annuelle Année du brevet 04
15.10.2002Taxe annuelle Année du brevet 05
Dérogation à la compétence  Tooltip
exclusive de la juridiction
unifiée du brevet
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La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni.
Citations:Recherche[A]EP0287338  (EXEL MICROELECTRONICS INC [US]) [A] 8* column 1, line 45 - column 3, line 46; figures 1,2 *;
 [A]EP0326053  (NAT SEMICONDUCTOR CORP [US]) [A] 1,4 * page 3, line 19 - page 4, line 41; figures 1,2; claims 1,2 *
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