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Extrait du Registre européen des brevets

EP Présentation générale: EP1099014

EP1099014 - DISPOSITIF ET PROCEDE POUR LA PRODUCTION D'AU MOINS UN MONOCRISTAL DE SiC [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets]
Statut	Aucune opposition formée dans le délai Statut actualisé le 31.01.2003 Base de données mise à jour au 26.07.2024
Dernier événement Tooltip	31.01.2003	Aucune opposition formée dans le délai	publié le 19.03.2003 [2003/12]
Demandeur(s)	Pour tous les Etats désignés SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Werner-von-Siemens-Str. 1 DE-80333 München / DE
	[N/P]
Précédent [2001/20]	Pour tous les Etats désignés SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Wittelsbacherplatz 2 80333 München / DE
Inventeur(s)	01 / STEIN, Rene Waldstrasse 7a D-91341 Röttenbach / DE
	02 / VÖLKL, Johannes Hoferstrasse 4 D-91056 Erlangen / DE
	03 / KUHN, Harald Forchheimerstrasse 5 D-91056 Erlangen / DE
	04 / RUPP, Roland Am Wasserturm 35 D-91207 Lauf / DE
	[2001/20]
Numéro de la demande, date de dépôt	99942775.0	05.07.1999
	[2001/20]
	WO1999DE02066
Numéro de priorité, date	DE1998131556	14.07.1998 Format original publié: DE 19831556
	[2001/20]
Langue de dépôt	DE
Langue de la procédure	DE
Publication	Type:	A1 Demande avec rapport de recherche
	N°:	WO0004212
	Date:	27.01.2000
	Langue:	DE
	[2000/04]
	Type:	A1 Demande avec rapport de recherche
	N°:	EP1099014
	Date:	16.05.2001
	Langue:	DE
	La demande publiée par l'OMPI le 27.01.2000, dans une des langues officielles de l'OEB, remplace la publication de la demande de brevet européen.
	[2001/20]
	Type:	B1 Fascicule de brevet
	N°:	EP1099014
	Date:	27.03.2002
	Langue:	DE
	[2002/13]
Rapport(s) de recherche	Rapport de recherche internationale - publié le:	EP	27.01.2000
Classification	IPC:	C30B23/00, C30B29/36	[2001/20]
	CPC:	C30B23/00 (EP,US); C30B29/36 (EP,US); Y10T117/10 (EP,US); Y10T117/1092 (EP,US)
Etats contractants désignés	CH, DE, FR, IT, LI, SE [2002/13]
Précédent [2001/20]	AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LI, LU, MC, NL, PT, SE
Titre	Allemand:	VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG MINDESTENS EINES SiC-EINKRISTALLS	[2001/20]
	Anglais:	METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING AT LEAST ONE SILICON CARBIDE MONOCRYSTAL	[2001/20]
	Français:	DISPOSITIF ET PROCEDE POUR LA PRODUCTION D'AU MOINS UN MONOCRISTAL DE SiC	[2001/20]
Entrée dans la phase régionale	23.11.2000	Taxe nationale de base payée
	23.11.2000	Taxe(s) de désignation payée(s)
	23.11.2000	Taxe d'examen payée
Procédure d'examen	13.12.1999	Requête en examen préliminaire déposée Administration chargée de l'examen préliminaire international: EP
	24.11.2000	Requête en examen déposée [2001/20]
	16.07.2001	Envoi de la notification relative à l'intention de délivrer le brevet (Accord : Oui)
	26.09.2001	Notification relative à l'intention de délivrer le brevet
	17.12.2001	Taxe de délivrance payée
	17.12.2001	Taxe publication/d‘impression payée
Opposition(s)	30.12.2002	Aucune opposition formée dans le délai imparti [2003/12]
Taxes payées	Taxe annuelle
	20.07.2001	Taxe annuelle Année du brevet 03
Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet	Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation
	La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni.
Cité dans	Recherche internationale	[A]DE4310745 (SIEMENS AG [DE]);
		[AD]WO9423096 (SIEMENS AG [DE], et al) [AD] 1,13 * the whole document *;
		[AD]US5667587 (GLASS ROBERT C [US], et al);
		[A]US5683507 (BARRETT DONOVAN L [US], et al)

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