| EP0877098 - System und Verfahren zur Abscheidung von Schichten [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.] | |||
| Frühere [1998/46] | System und Methode zur Ablagerung von Filmen | ||
| [2003/02] | Status | Kein Einspruch fristgerecht eingelegt Status aktualisiert am 25.06.2004 Datenbank zuletzt aktualisiert am 09.04.2026 | Letztes Ereignis Tooltip | 06.06.2008 | Änderung - Vertreter | veröffentlicht am 09.07.2008 [2008/28] | Anmelder | Für alle benannten Staaten Applied Materials, Inc. 3105 Kifer Road M/S 2634 Santa Clara, California 95051 / US | [N/P] |
| Frühere [1998/46] | Für alle benannten Staaten APPLIED MATERIALS, INC. 3105 Kifer Road M/S 2634 Santa Clara, California 95051 / US | Erfinder | 01 /
Cheung, David 235 Billingsgate Lane Foster City, CA 94404 / US | 02 /
Yau, Wai-Fan 1568 Gretel Lane Mountain View, CA 94040 / US | 03 /
Feng, Joe 444 Saratoga Avenue No. 17L Santa Clara, CA 95050 / US | 04 /
Huang, Judy H. 16788 Leroy Avenue Los Gatos, CA 95032 / US | 05 /
Deshpande, Madhu 1376 Yamada Drive San Jose, CA 95131 / US | [1998/46] | Vertreter | Kirschner, Klaus Dieter Puschmann Borchert Bardehle Patentanwälte Partnerschaft Postfach 10 12 31 80086 München / DE | [N/P] |
| Frühere [2008/28] | Kirschner, Klaus Dieter Puschmann & Borchert Patentanwälte Bajuwarenring 21 82041 Oberhaching / DE | ||
| Frühere [1998/46] | Kirschner, Klaus Dieter, Dipl.-Phys. Patentanwälte Kirschner & Kurig, Sollner Strasse 38 81479 München / DE | Anmeldenummer, Anmeldetag | 98107960.1 | 30.04.1998 | [1998/46] | Prioritätsnummer, Prioritätstag | US19970852786 | 07.05.1997 Ursprünglich veröffentlichtes Format: US 852786 | [1998/46] | Anmeldesprache | EN | Verfahrenssprache | EN | Veröffentlichung | Art: | A1 Anmeldung mit Recherchenbericht | Nr.: | EP0877098 | Datum: | 11.11.1998 | Sprache: | EN | [1998/46] | Art: | B1 Patentschrift | Nr.: | EP0877098 | Datum: | 20.08.2003 | Sprache: | EN | [2003/34] | Recherchenbericht(e) | (Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am: | EP | 01.09.1998 | Klassifikation | IPC: | C23C16/30, C23C16/52, C23C16/34 | [1998/46] | CPC: |
C23C16/308 (EP,US);
C23C16/345 (EP,US);
C23C16/52 (EP,US)
| Benannte Vertragsstaaten | DE, FR, GB, IT, NL [1999/29] |
| Frühere [1998/46] | AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LI, LU, MC, NL, PT, SE | Bezeichnung der Erfindung | Deutsch: | System und Verfahren zur Abscheidung von Schichten | [2003/02] | Englisch: | Method and system for depositing films | [1998/46] | Französisch: | Système et méthode pour le dépôt de films | [1998/46] |
| Frühere [1998/46] | System und Methode zur Ablagerung von Filmen | Prüfungsverfahren | 11.05.1999 | Prüfungsantrag gestellt [1999/29] | 10.07.2000 | Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M06) | 17.01.2001 | Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung | 02.08.2001 | Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04) | 10.12.2001 | Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung | 15.11.2002 | Termin der mündlichen Verhandlung | 11.12.2002 | Ankündigung der Patenterteilung | 11.12.2002 | Niederschrift über die mündliche Verhandlung abgesandt | 11.04.2003 | Erteilungsgebühr entrichtet | 11.04.2003 | Veröffentlichungs-/Druckkostengebühr entrichtet | Einspruch (Einsprüche) | 24.05.2004 | Kein Einspruch fristgerecht eingelegt [2004/33] | Entrichtete Gebühren | Jahresgebühr | 28.04.2000 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03 | 26.04.2001 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04 | 30.04.2002 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05 | 30.04.2003 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 06 |
| Ausschluss der ausschließlichen Tooltip Zuständigkeit des Einheitlichen Patentgerichts | Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts | ||
| Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht. | Angeführte Dokumente: | Recherche | [Y] MAEDA M ET AL: "Insulation degradation and anomalous etching phenomena in silicon nitride films prepared by plasma-enhanced deposition", THIN SOLID FILMS, 17 FEB. 1984, SWITZERLAND, vol. 112, no. 3, ISSN 0040-6090, pages 279 - 288, XP002074180 [Y] 6-8 * paragraph [0002]; table 1 * DOI: http://dx.doi.org/10.1016/0040-6090(84)90218-9 | [YA] BUDHANI R C ET AL: "STRUCTURAL ORDER IN SI-N AND SI-N-O FILMS PREPARED BY PLASMA ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS", JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY: PART A, vol. 5, no. 4, PART 3, July 1987 (1987-07-01), pages 1644 - 1648, XP000036446 [Y] 9,10 * paragraph [0002]; table 3 * [A] 12 DOI: http://dx.doi.org/10.1116/1.574538 |